Referate Meniu
Astronomie
Biologie
Chimie
Desen
Diverse
Drept
Economie
Engleza
Filozofie
Fizica
Franceza
Geografie
Germana
Informatica
Istorie
Italiana
Marketing
Matematica
Medicina
Muzica
Psihologie
Romana
Romana1
Spaniola


 


referat, proiect, rezumat, caracterizare, lucrare de nota 10 despre:

William Shockley

William B.Shockley

(1956)

William Shockley s-a nascut pe 13 februarie 1910 in Londra, Anglia. A fost fiul lui William Hillman Shockley un inginer miner nascut in Massachusetts si a sotiei sale Mary care se ocupa deasemenea cu mineritul, fiind o delegata in Nevada.

In 1913 familia s-a reintors in S.U.A si William a fost educat in California luandu-si licenta in stiite la Institutul de Tehnologie din California in 1932. El a studiat la Institutul de Tehnologie din Massachusetts sub indrumarea profesorului J.C. Slater si a obtinut titlul de Doctor in fizica iar in 1936 s-a supus unei teze despre structura clorurei de sodiu.In acelasi an s-a alaturat laboratorului de telefoane Bell lucrand intr-un grup condus de Dr.C.J. Davisson, pana in1955. A renuntat la postul de director al departamentului de fizica pentru titlu de director laboratorului din California in cercetarea producerii si dezvoltarii noilor tranzistoare si semiconductoare.

In timpului celui de-al doilea razboi mondial Willam a fost director de cercetari a organizatiei antisubmarine.

A avut doua burse de conferentiar :in 1946 la Universitatea Princeton si in 1954 la Insitutul de Tehnologie din California. Timp de un an (1954-1955) a fost director adjunct si director in cercetari la “Weapons System Evaluation “in Departamentul de aparare.

Cercetarile lui Shockley s-au concentrat asupra : studiului corpurilor solide; teoriei despre tuburile vide; experimentului si teorie despre fenomenul feromagnetic; experimentelor pe fotoelectroni din clorura de argint, variate teze in fizica tranzistoare si in cercetari operationale despre statistica scalara si productia individuala in laboratoarele de cercetari. 45831xcg63vgy3y

Munca lui a fost rasplatita cu multa onoare. A primit: medalia de merit in 1946 pentru munca sa savarsita in cadrul Departamentului de razboi; premiul ‘Morrris Leibmann’ in 1952 pentru colaborarea sa cu Institutul de radio. Un an mai tarziu a primit premiul “Oliver E. Buckley” iar in urmatorul an a castigat la Academia de stiinta premiul ‘Cyrus B. Comstock’.

Cea mai mare realizare a sa a fost castigarea Premiului Nobel in 1956 impreuna cu doi colegi de la Laboratorul Bell : John Bardeensi Walter H Brattain .

In 1963 a fost nominalizat la premiul acordat de Societatea Americana pentru Inginerie Mecanica.

William B. Shockley a fost membru al “Scientific Advisory Panel” in armata americana inca din 1951 si a servit organizatia fortei aeriane inca din 1958 .In 1962 a fost desemnat in functia de presedinte al comitetuluide consultatii stiintifice. A primit onorifice doctorate stiintifice de la Universitatea din Pennsylvania, Universitatea Rutgers si de la Colegiul Gustavus Adolphus. cg831x5463vggy

Printre numeroase articole de stiinta si jurnale tehnice Shockley a scris ‘Electronii si gaurile din semiconducta’ (1950). A luat peste 50 de privilegii.

Shockley a fost casatorit de doua ori si a avut trei copii cu Jean (nee Balley) de care a divortat casatorindu-se cu Emmy Laning.

William a decedat in 1989.