Referate Meniu
Astronomie
Biologie
Chimie
Desen
Diverse
Drept
Economie
Engleza
Filozofie
Fizica
Franceza
Geografie
Germana
Informatica
Istorie
Italiana
Marketing
Matematica
Medicina
Muzica
Psihologie
Romana
Romana1
Spaniola


 


referat, proiect, rezumat, caracterizare, lucrare de nota 10 despre:

Laboratorul - Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

RIEDEL ANDREI

Grupa 421 B

 

REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

 

Scopul lucrarii

Lucrarea are drept scop studierea regimului dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecventa joasa, fixa, determinarea principalilor parametrii ai circuitului echivalent natural si demonstrarea dependentei lor de punctul static de functionare.

Tehnica de polarizare aleasa permite atat modificarea PSF-ului tranzistorului, cat si masurarea precisa a curentului de intrare.

Aparate necesare:

- sursa de tensiune continua, reglabila 0-24 V;

- sursa de semnal sinusoidal, reglabila;

- multimetru electronic;

- osciloscop.

 

Determinari experimentale

Determinarea parametrilor bF, b0, gm, rbe

1. Se realizeaza configuratia de circuit de mai jos si se fixeaza PSF-ul tranzistorului la fiecare din seturile de valori indicate in tabelul 3.1. Se masoara potentialele continue VBB si VBE la capetele rezistentei Rb; valorile se trec in tabelul 3.1.

2. La intrarea circuitului se aplica un semnal sinusoidal de 10 kHz a carui amplitudine se regleaza astfel incat Vi=2 mV. Se masoara potentialele alternative V si V0 si se trec in tabelul 3.1.

 

Tabelul 3.1

VCC
VCE
(V)
(V)
IC (mA)
VBB
VBE
V
(V)
(V)
(mV)
V0 (mV)
bF
b0
gm (mA/V)
RI=rb’e (kW)
8
4
1
0.98
0.61
28.1
8.3
270.27
318.01
41.5
7.6
12
4
2
1.33
0.63
53.6
17
285.71
329.45
85
3.87
16
4
3
1.64
0.64
73.5
23
300
359
115
3
20
4
4
1.93
0.65
82.8
31.6
313
391
158
2
20
12
2
1.25
0.62
48.4
17.1
317
369
85.5
4

 

Tabelul s-a completat cu ajutorul urmatoarelor formule:

,;

 

 

Determinarea rezistentei de iesire a tranzistorului, rce

5. Se realizeaza circuitul de mai jos si se fixeaza PSF-ul la valorile indicate in tabelul 3.2. Se aplica un semnal sinusoidal de 10 kHz a carui amplitudine Vs se regleaza astfel incat V0=0.4 V. Se masoara V’ si valorile se trec in tabelul 3.2.

 

Tabelul 3.2

IC (mA)
1
2
4
2
VCE (V)
4
4
4
12
V’ (V)
1.74
1.76
1.86
1.73
Rce (kW)
34.28
30
18.46
28.5

rce s-a determinat cu ajutorul formulei .

 

Prelucrarea datelor experimentale. Concluzii

1. In graficul de mai jos s-a reprezentat, pe baza datelor din tabelul 3.1 variatia marimilor bF si b0 in functie de curentul IC (pentru VCE=4 V):

Grafic : bF=f ( Ic )
Grafic : b0=f ( Ic )

In graficul de mai jos s-a reprezentat, pe baza datelor din tabelul 3.1 variatia marimilor rb’e si gm-1 in functie de curentul IC (pentru VCE=4 V):

Grafic : Rbe'=f ( Ic )
Grafic : gm-1=f( Ic )

2. Din datele experimentale, cit si din expresiile factorului de amplificare in c.c. si a factorului de amplificare in c.a. se observa ca bF<b0; IC creste, Ib scade, rezulta ca si vor creste iar rbe scade .

 

 

 

3. Tabelul 3.5

IC (mA)
1
2
3
4
2
gm
exp.
41.5
85
115
158
85.5
(mA/V)
calc.
40
80
120
160
80

Se observa ca valorile calculate si cele experimentale sunt foarte apropiate ,aproximativ egale .

4. Daca tensiunea VCE creste, atunci factoriie amplificare bF si b0 cresc deoarece tensiunile VBB, VBE, V si Vi scad si bF si b0 sunt invers proportionali cu aceste tensiuni.

 

5. In graficul de mai jos s-a reprezentat rce in functie de IC:

 

Grafic : Rce=f ( Ic )