Referate Meniu
Astronomie
Biologie
Chimie
Desen
Diverse
Drept
Economie
Engleza
Filozofie
Fizica
Franceza
Geografie
Germana
Informatica
Istorie
Italiana
Marketing
Matematica
Medicina
Muzica
Psihologie
Romana
Romana1
Spaniola


 

referat, proiect, rezumat, caracterizare, lucrare de nota 10 despre:

Dioda semiconductoare

RIEDEL ANDREI

qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh Grupa 421 B

Dioda semiconductoare

 

 

Scopul lucrarii:

Masurarea caracteristicilor statice ale unor diode semiconductoare si analizarea comportarii diodelor in regim dinamic la semnal mic, joasa frecventa.

Considerente teoretice:

 

Diodele semiconductoare sunt dispozitive formate dintr-o jonctiune pn. Analizand fenomenele fizice care apar intr-o jonctiune pn ideala la aplicarea unui tensiuni din exterior se deduce relatia de legatura:

 

unde I0 este curentul de saturatie al diodei;

qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh qe454t9575yeeh g este un coeficient care ia valori intre 1 si 2

 

Pentru VD>0 dioda este polarizata direct si curentul depinde exponential de tensiune:

 

Reprezentarea la scara logaritmica a dependentei curent/tensiune permite determinarea curentului de saturatie prin extrapolare pana la VD=0, iar prin calcularea contrapantei se obtine valoarea lui g:

La curenti mari apare o tensiune mai mare datorita rezistentei materialului adiacent jonctiunii, Rs: .

Pentru vD<0 dioda este polarizata invers iar pentru vD<-(3…4)gkT/q rezulta iD= -I0.

La o anumita valoare a tensiunii inverse aplicate (tensiunea de strapungere poate apare efectul Zenner sau fenomenul de multiplicare in avalansa, care se manifesta printr-o crestere abrupta a curentului – acesta nu mai poate fi limitat decat de circuitul exterior.

Faptul ca in strapungere tensiunea este practic constanta a dus la folosirea diodelor ca stabilizatoare de tensiune (Zenner).

In cazul in care tensiunea prin dioda prezinta mici variatii vd cu amplitudinea Vd in jurul p.s.f.-ului, curentul prin dioda va prezenta deasemenea variatii in jurul valorii statice ID.

Daca frecventa este relativ mica si amplitudinea indeplineste conditia de semnal mic atunci : vd(t) =Ri×id(t).

Ri = Rezistenta interna (dinamica).

Dioda
K
RK (kW)
ED (V)
VD’ (V)
ID (mA)
lg(ID)
D1
1
0.025
15
0.372
585.120
2.767
1
0.025
10
0.343
386.280
2.587
2
0.1
20
0.312
196.880
2.294
2
0.1
11
0.279
107.210
2.030
3
1
11
0.178
10.822
1.034
4
10
11
0.089
1.091
0.038
5
100
11
0.032
0.110
-0.960
6
1000
11
0.005
0.011
-1.959
D2
3
1
11
0.697
10.303
1.013
4
10
11
0.585
1.042
0.018
5
100
11
0.467
0.105
-0.977
6
1000
11
0.368
0.011
-1.973
Dioda
RK (kW)
VR=-VD (V)
ED’ (V)
IR=-ID (mA)
VD (V)
ID (mA)
D1
100
1
5.9
-0.069
-1
0.069
100
2
7.01
-0.0901
-2
0.0901
100
5
10.16
-0.1516
-5
0.1516
100
10
15.36
-0.2536
-10
0.2536
100
20
25.7
-0.457
-20
0.457
100
40
46.3
-0.863
-40
0.863
D2
1000
1
1.1
-0.0021
-1
0.0021
1000
2
2.2
-0.0042
-2
0.0042
1000
5
5.5
-0.0105
-5
0.0105
1000
10
11
-0.021
-10
0.021
1000
20
22
-0.042
-20
0.042
1000
40
44
-0.084
-40
0.084
ED[V]
k
Rk[kW]
VZ[V]
IZ[mA]
20
 
10
5.69
1.431
18
 
10
5.69
1.231
16
 
10
5.69
1.031
14
 
10
5.68
0.832
12
4
10
5.68
0.632
10
 
10
5.68
0.432
8
 
10
5.62
0.238
6