Dioda semiconductoare referat








RIEDEL ANDREI

Grupa 421 B

Dioda semiconductoare










Scopul lucrarii:

Masurarea caracteristicilor statice ale unor diode semiconductoare si analizarea comportarii diodelor in regim dinamic la semnal mic, joasa frecventa.


Considerente teoretice:


Diodele semiconductoare sunt dispozitive formate dintr-o jonctiune pn. Analizand fenomenele fizice care apar intr-o jonctiune pn ideala la aplicarea unui tensiuni din exterior se deduce relatia de legatura:


 unde I0 este curentul de saturatie al diodei;

g este un coeficient care ia valori intre 1 si 2


Pentru VD>0 dioda este polarizata direct si curentul depinde exponential de tensiune:


Reprezentarea la scara logaritmica a dependentei curent/tensiune permite determinarea curentului de saturatie prin extrapolare pana la VD=0, iar prin calcularea contrapantei se obtine valoarea lui g

La curenti mari apare o tensiune mai mare datorita rezistentei materialului adiacent jonctiunii, Rs: .

Pentru vD<0 dioda este polarizata invers iar pentru vD<-(3…4)gkT/q rezulta iD= -I0.

La o anumita valoare a tensiunii inverse  aplicate (tensiunea de strapungere poate apare efectul Zenner sau fenomenul de multiplicare in avalansa, care se manifesta printr-o crestere abrupta a curentului – acesta nu mai poate fi limitat decat de circuitul exterior.

Faptul ca in strapungere tensiunea este practic constanta a dus la folosirea diodelor ca stabilizatoare de tensiune (Zenner).

In cazul in care tensiunea prin dioda prezinta mici variatii vd cu amplitudinea Vd in jurul p.s.f.-ului, curentul prin dioda va prezenta deasemenea variatii in jurul valorii statice ID.

Daca frecventa este relativ mica si amplitudinea indeplineste conditia de semnal mic atunci : vd(t) =Ri id(t).

Ri = Rezistenta interna (dinamica).









Dioda

K

RK (kW

ED (V)

VD’ (V)

ID (mA)

lg(ID)

D1

















































D2



























Dioda

RK (kW

VR=-VD (V)

ED’ (V)

IR=-ID (mA)

VD (V)

ID (mA)

D1







































D2









































ED[V]

k

Rk[kW

VZ[V]

IZ[mA]












































1.Polarizare directa VD>0;

2. Determinare VP=VD(eIDM)  din grafic : IDM=200mA si e=0.01 => e*IDM=0.2mA => VP=VD(


3.Pentru ca tensiunea depinde de rezistenta materialului adiacent jonctiunii p-n . pentru siliciu este mai mare.


4.


5. Prin extrapolare pana la VD=0 putem calcula curentul I0 aprox. - 2 .


=> g = (0.178-0.005)/(1.034+1.959) / 2.6









6.Polarizare inversaVD<0;


7. Pentru ca in primul caz , la scara logaritmica , s-a extras I0 prin extrapolare la VD=0 si s-a neglijat ultimul termen din formula logaritmica 1.3 .


8.Dioda stabilizatoare de tensiune ; Dioda 3










Dioda electroluminescenta :


Iled = 0.25 mA

Rled=1K W

Vled=2.51

ED=3.03













Copyright © Contact | Trimite referat


Ultimele referate adaugate
Mihai Beniuc
   - Mihai beniuc - „poezii"
Mihai Eminescu Mihai Eminescu
   - Mihai eminescu - student la berlin
Mircea Eliade Mircea Eliade
   - Mircea Eliade - Mioara Nazdravana (mioriţa)
Vasile Alecsandri Vasile Alecsandri
   - Chirita in provintie de Vasile Alecsandri -expunerea subiectului
Emil Girlenu Emil Girlenu
   - Dragoste de viata de Jack London
Ion Luca Caragiale Ion Luca Caragiale
   - Triumful talentului… (reproducere) de Ion Luca Caragiale
Mircea Eliade Mircea Eliade
   - Fantasticul in proza lui Mircea Eliade - La tiganci
Mihai Eminescu Mihai Eminescu
   - „Personalitate creatoare” si „figura a spiritului creator” eminescian
George Calinescu George Calinescu
   - Enigma Otiliei de George Calinescu - geneza, subiectul si tema romanului
Liviu Rebreanu Liviu Rebreanu
   - Arta literara in romanul Ion, - Liviu Rebreanu









Scriitori romani